华虹半导体有限公司今天宣布其第二代90纳米嵌入式闪存 (90nm G2 eFlash) 工艺平台已成功实现量产，技术实力和竞争力再度加强。

　　华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存 (90nm G1 eFlash) 工艺技术积累的基础上，于90nm G2 eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nm G2微缩了Flash的元胞尺寸，较第一代减小约25%，为目前全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸。此外，90nm G2采用了新的Flash IP设计架构，在保证高可靠性 (即10万次擦写及25年数据保持能力) 的同时，提供了极小面积的低功耗Flash IP。因此，90nm G2 eFlash能够大大缩小整体芯片面积，从而在单片晶圆上拥有更多的裸芯片数量，尤其对于具有高容量eFlash的芯片产品，90nm G2 eFlash的面积优势更为显著。值得一提的是， 亿配芯城 90nm G2 eFlash在第一代的基础上又缩减了一层光罩，使得制造成本更低。

　　目前，90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产，成功用于大规模生产电信卡芯片，并将为智能卡芯片、安全芯片产品以及MCU等多元化产品提供更具性价比的芯片制造技术解决方案。

　　华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“第二代的90nm G2 eFlash工艺的成功量产，标志着华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术上的又一次成功。嵌入式非易失性存储器技术是我们的战略重点之一，长期以来凭借着高安全性、高稳定性、高性价比以及技术先进性在业界广受认可。作为全球领先的智能卡IC代工厂，华虹半导体将坚持深耕，不断优化工艺，升级平台，持续领航智能IC卡代工领域，并大力发力物联网、新能源汽车等高增长新兴市场。”

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