就是在圆井中使用技术手段，改变原子核的自由电子浓度，改变原子多子（电子）或少子（空穴）是原子核产生正电荷或负电荷的物理特性，构成各种半导体。硅、锗是常用的半导体材料，他们的特性及材质是容易大量并且成本低廉使用于上述技术的材料。一个硅片中就是大量的半导体器件组成，当然功能就是按需要将半导体组成电路而存在于硅片内，封装后就是IC了（集成电路）。一个芯片有多少晶圆？这个要根据你的die的大小和wafer的大小以及良率来决定的。目前业界所谓的6寸，12寸还是18寸晶圆其实就是晶圆直径的简称，只不过这个寸是估算值。实际上的晶圆直径是分为150mm，300mm以及450mm这三种，而12寸约等于305mm，为了称呼方便所以称之为12寸晶圆。一个硅片中就是大量的半导体器件组成 当然功能就是按需要将半导体组成电路而存在于硅片内 封装后就是IC了 集成电路。国际上Fab厂通用的计算公式：你们一定有发现公式中 π*（晶圆直径/2）的平方，不就是圆面积的式子吗？再将公式化简的话就会变成：X就是所谓的晶圆可切割晶片数（dpw die per wafer）。科普：wafer die chip的区别我们先从一片完整的晶圆（Wafer）说起：一块完整的wafer名词解释：wafer 即为图片所示的晶圆，由纯硅（Si）构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片就是基于这个wafer上生产出来的。Wafer上的一个小块，就是一个晶片晶圆体，学名die，封装后就成为一个颗粒。一片载有Nand Flash晶圆的wafer，TOPPOWER(南京拓微TP)电池/电源管理芯片/锂电保护芯片 wafer首先经过切割，然后测试，将完好的、稳定的、足容量的die取下，封装形成日常所见的Nand Flash芯片。那么，在wafer上剩余的，要不就是不稳定，要不就是部分损坏所以不足容量，要不就是完全损坏。原厂考虑到质量保证，会将这种die宣布死亡，严格定义为废品全部报废处理。die和wafer的关系品质合格的die切割下去后，原来的晶圆就成了下图的样子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。

筛选后的wafer这些残余的die，其实是品质不合格的晶圆。被抠走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，会被原厂封装制作为成品NAND颗粒，而不合格的部分，也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。晶圆尺寸发展历史（预估）

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