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中国电子元器件网：GAA半导体技术被封杀，中国要靠自己突破3nm工艺
- 发布日期：2024-07-13 08:26 点击次数：136 由于众所周知的原因，美国正在加紧高科技出口。最近，美国政府颁布了一项新的高科技出口禁令，包括量子计算机、3D打印和砷化镓晶体管技术，其中砷化镓晶体管技术是半导体行业新一代技术的关键。众所周知，半导体技术与晶体管密切相关。目前，TSMC、三星、英特尔和网格核心大规模生产的先进技术一般都是基于鳍式场效应晶体管(FinFET fin transistors)。FinFET晶体管用于22纳米工艺和5纳米工艺，要到明年才能大规模生产。5纳米后的半导体技术越来越难制造。为了提高性能和密度，晶体管必须转向新一代结构。砷化镓环绕栅晶体管是最有前途的。三星去年率先发布了3纳米砷化镓技术——3G声发射。据该官员介绍，基于全新的砷化镓晶体管结构，三星利用纳米芯片设备制造了多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)。这项技术可以显著提高晶体管性能，主要替代FinFET晶体管技术。此外，MBCFET技术还可以与现有的FinFET制造技术和设备兼容，从而加快工艺开发和生产，最早在2022年大规模生产。
TSMC和英特尔尚未披露高达3纳米的工艺细节，但5纳米后转向砷化镓晶体管技术也是肯定的，因此砷化镓晶体管技术将成为未来几年半导体工艺的新选择。美国封锁砷化镓晶体管技术出口，核心国际和中国最大的晶圆生产厂华虹半导体不可能获得外援。但话说回来，即使没有美国的禁令， 芯片采购平台中国也不可能指望海外技术转让和通用会计准则技术升级。SMIC今年可以大规模生产14纳米技术。这是中国制造的第一代鳍状场效应晶体管(FinFET)技术，还有一种改进的12纳米鳍状场效应晶体管技术。与14纳米晶体管相比，该技术进一步小型化，功耗降低20%，性能提高10%，错误率降低20%。根据SMIC在财务报告会议上提供的信息，12纳米工艺应该是他们的N+1工艺，未来会有更先进的N+2代工艺，但政府还没有明确N+2是否是7纳米节点。总之，美国显然禁止出口公认会计准则技术来阻碍中国公司的半导体技术能力。然而，这件事目前影响不大，因为国内距离3m技术还有点距离。国内半导体公司早就认识到技术研发应该集中在自己身上。增加投资，吸引更多的人才自主研发是解决问题的关键。
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