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- 发布日期：2024-06-16 07:09 点击次数：138
产品规格
产品属性 属性值 搜索类似
产品分类： 双极晶体管 - BJT
RoHS指令： 细节
安装方式： 通孔
包装/案例： TO-92-3
晶体管极性： PNP
组态： 单
集电极 - 发射极电压VCEO Max： - 100 V
集电极 - 基极电压VCBO： - 120 V
发射极 - 基极电压VEBO： - 5 V
集电极 - 发射极饱和电压： - 0.3 V
最大直流集电极电流： 1 A.
增益带宽产品fT： 150 MHz
最低工作温度： - 55 C.
最高工作温度： + 150 C
系列： ZTX553
高度： 4.01毫米
长度： 4.77毫米
打包： 块
宽度： 2.41毫米
牌： Diodes Incorporated
连续收集器电流： - 1 A.
CNHTS： 8541210000
HTS代码： 8541210095
MXHTS： 85412101
Pd - 功耗： 1瓦
产品类别： BJTs - 双极晶体管
工厂包装数量： 4000
类别： 晶体管
TARIC： 8541210000
单重： 0.016000盎司
522-ZTX553
制造商。
ZTX553
制造商：
Diodes Incorporated
描述：
双极晶体管 - BJT PNP中等功率
特征
* 100伏VCEO
* 1安培连续电流
* Ptot = 1瓦特
绝对最大额定值。
参数符号ZTX552 ZTX553单元
集电极 - 基极电压VCBO -100 -120 V.
集电极 - 发射极电压VCEO -80 -100 V.
发射极 - 基极电压VEBO -5 V.
峰值脉冲电流ICM -2 A
连续集电极电流IC -1 A.
功耗：Tamb = 25°C
降低25°C以上
Ptot 1
5.7
w ^
mW /°C
操作和存储温度范围Tj：Tstg -55至+ 200°C
电气特性（Tamb = 25°C）。
参数符号ZTX552 ZTX553单元条件。
MIN。MAX。MIN。MAX。
集电极基
击穿电压
V（BR）CBO -100 -120 V IC =-100μA
集电极 - 发射极
保持电压
VCEO（sus）-80 -100 V IC = -10mA
发射基
击穿电压
V（BR）EBO -5 -5 V IE =-100μA
收集器截止
当前
ICBO -0.1
-0.1
μA
VCB=-80V
VCB=-100V
发射极截止电流IEBO -0.1-0.1μA
VEB=-4V
集电极 - 发射极
饱和电压
VCE（sat）-0.25 -0.25 V IC = -150mA，IB = -15mA *
基射
饱和电压
VBE（sat）-1.1 -1.1 V IC = -150mA，IB = -15mA *
基射
开启电压
VBE（on）-1.0 -1.0 V IC = -150mA，VCE = -10V *
静态正向电流
转移比率
hFE 40
10
150 40
10
200 IC = -150mA， 芯片采购平台VCE = -10V *
IC = -1A，VCE = -10V *
转换频率fT 150 150 MHz IC = -50mA，VCE = -10V
F =100MHz的
输出电容Cobo 12 12 MHz VCB = -10V，f = 1MHz
*在脉冲条件下测量。 脉冲宽度=300μs。 工作周期≤2％