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中国电子元器件网:GAA半导体技术被封杀,中国要靠自己突破3nm工艺
- 发布日期:2024-07-13 08:26 点击次数:133 由于众所周知的原因,美国正在加紧高科技出口。最近,美国政府颁布了一项新的高科技出口禁令,包括量子计算机、3D打印和砷化镓晶体管技术,其中砷化镓晶体管技术是半导体行业新一代技术的关键。众所周知,半导体技术与晶体管密切相关。目前,TSMC、三星、英特尔和网格核心大规模生产的先进技术一般都是基于鳍式场效应晶体管(FinFET fin transistors)。FinFET晶体管用于22纳米工艺和5纳米工艺,要到明年才能大规模生产。5纳米后的半导体技术越来越难制造。为了提高性能和密度,晶体管必须转向新一代结构。砷化镓环绕栅晶体管是最有前途的。三星去年率先发布了3纳米砷化镓技术——3G声发射。据该官员介绍,基于全新的砷化镓晶体管结构,三星利用纳米芯片设备制造了多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)。这项技术可以显著提高晶体管性能,主要替代FinFET晶体管技术。此外,MBCFET技术还可以与现有的FinFET制造技术和设备兼容,从而加快工艺开发和生产,最早在2022年大规模生产。
![3nm工艺](http://r01/TP04A/P03/file/1219/6-1.png)
![3nm工艺](http://r01/TP04A/P03/file/1219/6-2.jpg)
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