PNP硅平面中等功率 高压晶体管
2024-10-23特征 300伏VCEO 0.5安培连续电流 Ptot = 1瓦特 绝对最大额定值。 参数符号ZTX756ZTX757单元 集电极 - 基极电压VCBO -200-300 V. 集电极 - 发射极电压VCEO -200 -300 V. 发射极 - 基极电压VEBO -5 V. 峰值脉冲电流ICM -1 A. 连续集电极电流IC -0.5 A. Tamb时的功耗= 25°C Ptot 1 W. 操作和存储温度 范围 Tj:Tstg -55至+ 200°C 电气特性(除非另有说明,在Tamb = 2
PNP硅平面中等功率 高增益晶体管双极(BJT)单晶体管
2024-10-21ZTX790A双极晶体管的特性 类型 - pnp 集电极 - 发射极电压:-40 V. 集电极 - 基极电压:-50 V 发射极 - 基极电压:-5 V. 集电极电流:-2 A 收集器耗散 - 1.5 W 直流电流增益(h fe) -250 过渡频率 -100MHz 工作和存储结温范围-55至+ 200 °C 套餐 -TO-92 特征 40伏VCEO IC = 1安培时增益为200 极低的饱和电压 绝对最大额定值。 参数符号值单位 集电极 - 基极电压VCBO -50 V. 集电极 - 发射极
NPN硅平面中等功率,高增益晶体管
2024-06-17产品概述 Digi-Key零件号ZTX618-ND 可用数量3,366 生产厂家Diodes Incorporated 制造商零件编号ZTX618 描述TRANS NPN20V3.5A E-LINE 详细说明双极(BJT)晶体管NPN 20V 3.5A 140MHz 1W通孔E-Line(兼容TO-92) 文件和媒体 数据表ZTX618 环境信息RoHS认证 PCN组装/原产地电镀网站地址添加24 / Feb / 2017 Wafer Source 21/ Apr / 2017 Mult De
PNP硅平面中等功率晶体管
2024-06-16产品规格 产品属性 属性值 搜索类似 产品分类: 双极晶体管 - BJT RoHS指令: 细节 安装方式: 通孔 包装/案例: TO-92-3 晶体管极性: PNP 组态: 单 集电极 - 发射极电压VCEO Max: -100V 集电极 - 基极电压VCBO: - 120 V 发射极 - 基极电压VEBO: - 5 V 集电极 - 发射极饱和电压: - 0.3 V 最大直流集电极电流: 1 A. 增益带宽产品fT: 150 MHz 最低工作温度: - 55 C. 最高工作温度: + 150