MOS 相关话题

mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距可能很大。 Mos损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压

MOS管选型技巧 选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，为重要的是，为产品匹配了一款恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到效、稳定、持久的应用效果。那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。 MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？ 首先是确定N、P沟道的选择 MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道

寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，一个电阻的串联，低频情况下表现不明显，而高频情况下，等效值会增大。在计算中我们要考虑进去。 ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频情况下要考虑到等效电容值，电感值。 我们可看做是我们的各个管脚之间都是串接了一个电容在其旁边，如图所示，由于MOS管背部存在寄生电容，这会影响到我们的MOS管的开关断的时间。 故此，如果M

对于MOSFET而言，米勒效应（MillerEffect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在MOSFET开关过程中，会使驱动信号形成平台电压，引起开关时间变长，进而导致开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。 本文将以网上了解到的相关资料为基础并结合自己的理解，分析MOS管开通过程以及米勒平台的形成。首先我们先看一下MOSFET的结构简化图： 图一MOSFET的结构简图 通过图一可知：N沟道增强型MOS管以一块低掺杂的P型硅片为衬底，利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区，并引

你了解分立元件MOS管驱动电路吗?它有什么要点?本电路是在48V直流电机驱动上使用非常普遍的分立元件MOS管驱动电路，适用频率可达30kHz左右，稳定可靠，在成本局限的产品上可代替IR21XX驱动IC。这个电路已经经历了多年的商业化检验，保证你按照电路里的参数制作就可正常工作。 制作时要注意以下几点： 1)如果你的电机工作电压低于等于12V可能需要调整上桥臂晶体管的工作状态。 2)自举电容C5 C6要使用低漏电的。用钽电容，耐压看20v够用不?C5 C6耐压最好在电源电压以上，不过用那么高级的